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作者：

Hu, Dongqing (Hu, Dongqing.) | Tang, Yun (Tang, Yun.) | Jia, Yunpeng (Jia, Yunpeng.) | Wu, Yu (Wu, Yu.)

收录：

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摘要：

A　novel　n-MOSFET　structure　with　P-type　island　in　the　buffer　layer　is　proposed　and　simulation　studies　have　been　performed　in　this　paper.　Simulation　results　show　that　the　peak　current　induced　by　heavy　ions　can　be　reduced　owing　to　field　modification　effects　of　P-type　island.　©　2018　EPE　Association.

关键词：

Power electronics MOSFET devices Heavy ions Buffer layers Failure (mechanical)

作者机构：

  • [ 1 ] [Hu, Dongqing]Beijing University of Technology, 100 Pingleyuan, Chaoyang District, Beijing, China
  • [ 2 ] [Tang, Yun]Beijing University of Technology, 100 Pingleyuan, Chaoyang District, Beijing, China
  • [ 3 ] [Jia, Yunpeng]Beijing University of Technology, 100 Pingleyuan, Chaoyang District, Beijing, China
  • [ 4 ] [Wu, Yu]Beijing University of Technology, 100 Pingleyuan, Chaoyang District, Beijing, China

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来源 ：

年份： 2018

语种： 英文

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