In　this　paper　the　impact　of　fin　width　on　Single-Event-Transient　(SET)　of　14　nm　bulk　FinFETs　is　investigated　and　compared　with　SOI　FinFETs　by　3D　TCAD　simulation.　Simulation　results　show　that　for　bulk　FinFETs,　the　collected　charge　and　SET　pulse　width　increase　with　fin　width.　For　SOI　FinFETs,　the　collected　charge　increases　with　fin　width　while　SET　pulse　width　gradually　saturates.　Compared　with　SOI　FinFETs,　both　the　collected　charge　and　pulse　width　of　bulk　FinFETs　are　larger,　and　this　difference　enhances　with　the　increase　of　fin　width,　which　implies　that　fin　width　has　much　stronger　impact　on　collected　charge　and　SET　pulse　width　in　bulk　FinFETs.　Besides,　the　charge　collected　by　drift　diffusion　in　bulk　FinFETs　is　two　orders　of　magnitude　larger　than　SOI　FinFETs.　The　results　imply　that　the　impact　of　fin　width　on　SET　of　FinFETs　should　be　taken　into　consideration　for　radiation　hardened　design.　©　2018　IEEE.