Effect of an Intermediate Graphite Layer on the Electronic Properties of Metal/SiC Contacts - Details

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[ 1 ] [Reshanov, S.A.]Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstraße 7/A3, 91058 Erlangen, Germany
[ 2 ] [Emtsev, K.V.]University of Erlangen-Nürnberg, Institute for Condensed Matter Physics, Erwin-Rommel-Straße 1, 91058 Erlangen, Germany
[ 3 ] [Speck, F.]Universität Erlangen-Nürnberg, Institut für Physik der Kondensierten Materie, Erwin-Rommel-Straße 1, 91058 Erlangen, Germany
[ 4 ] [Gao, K.-Y.]College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology, Pingleyuan 100, Chaoyang District, 100124 Beijing, China
[ 5 ] [Seyller, T.K.]Universität Erlangen-Nürnberg, Institut für Physik der Kondensierten Materie, Erwin-Rommel-Straße 1, 91058 Erlangen, Germany
[ 6 ] [Pensl, G.]Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstraße 7/A3, 91058 Erlangen, Germany
[ 7 ] [Ley, L.]Universität Erlangen-Nürnberg, Institut für Physik der Kondensierten Materie, Erwin-Rommel-Straße 1, 91058 Erlangen, Germany

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[Reshanov, S.A.]Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstraße 7/A3, 91058 Erlangen, Germany

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Silicon Carbide

Monograph name： Silicon Carbide

Volume： 2

Issue： Wiley-VCH

Language： English

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