The　pH　sensor　of　an　extended　gate　field　effect　transistor　(EGFET)　with　gallium　nitride/silicon　hybrid　nanostructure　is　fabricated　and　analyzed.　Si　nanowires　(NWs)　are　fabricated　via　the　Ag-assisted　electroless　etching　technique　and　are　then　covered　by　GaN　NWs　through　plasma-enhanced　chemical　vapor　deposition　(PECVD).　The　GaN　nanostructure　is　synthesized　by　introducing　gallium　oxide　(Ga2O3)　and　nitrogen　(N-2)　for　the　growth　of　NWs.　The　GaN　nanowires　supply　a　larger　surface　area　than　that　of　the　pristine　Si　NWs,　where　there　is　a　better　sensitivity　for　pH　sensor.　The　GaN/Silicon　hybrid　sensors　exhibit　a　sensitivity　higher　(50.4　mV/pH)　than　that　of　pristine　Si　NWs　sensors　(41.2　mV/pH).　This　GaN/Si　hybrid　pH　sensor　prepared　by　simple　and　low-cost　method　may　be　potentially　applied　for　cheap　biosensor　devices.