In　this　work,　Field　emission　(FE)　properties　of　mixed　phase　amorphous　boron　nitride　(BN)　nanofilms　prepared　by　plasma　enhanced　chemical　vapor　deposition　(PECVD)　were　thoroughly　investigated.　The　results　showed　that,　for　mixed　amorphous　BN　nanofilms　with　a　little　cubic　boron　nitride　(c-BN)　and　wurtzite　boron　nitride　(w-BN)　nanocrystalline,　the　turn　on　field　of　the　nanofilms　is　as　low　as　similar　to　0.5　V/mu　m　and　the　FE　current　density　can　reach　similar　to　12　mA/cm(2)　when　the　electrical　field　is　only　0.75　V/mu　m.　However,　for　primary　cubic　phase　nanocrystalline　BN　films,　the　FE　current　density　is　only　500　mu　A/cm(2);　at　as　high　as　about　2.5　V/mu　m.　Moreover,　the　field　emission　mechanism　of　the　phase　amorphous　BN　nanofilms　was　further　discussed.　Field　emission　enhancement　for　mixed　phase　amorphous　BN　may　be　originated　from　electron　step-transport　in　different　energy　states　and　multi-channel　electron　transport　in　nanocrystalline　interface.　(C)　2017　Elsevier　B.　V.　All　rights　reserved.