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作者:

杨生荣 (杨生荣.) | 王海明 (王海明.) | 叶乐志 (叶乐志.)

收录:

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摘要:

论述了芯片封装工艺中的减薄、抛光工艺对芯片强度的影响,通过三点弯曲强度测试方法,分析对比减薄工艺以及在减薄后进行化学机械抛光(CMP)和干式抛光(DP)消除应力后芯片强度的分布.实验表明,晶圆减薄磨削后,对背面磨削面进行去应力抛光,会获得比较高的芯片强度.

关键词:

芯片强度 化学机械抛光 应力去除 减薄 干式抛光

作者机构:

  • [ 1 ] [杨生荣]北京中电科电子装备有限公司
  • [ 2 ] [王海明]北京中电科电子装备有限公司
  • [ 3 ] [叶乐志]北京工业大学

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来源 :

电子工业专用设备

ISSN: 1004-4507

年份: 2020

期: 3

卷: 49

页码: 13-15,22

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