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论述了芯片封装工艺中的减薄、抛光工艺对芯片强度的影响,通过三点弯曲强度测试方法,分析对比减薄工艺以及在减薄后进行化学机械抛光(CMP)和干式抛光(DP)消除应力后芯片强度的分布.实验表明,晶圆减薄磨削后,对背面磨削面进行去应力抛光,会获得比较高的芯片强度.
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电子工业专用设备
ISSN： 1004-4507
Year： 2020
Issue： 3
Volume： 49
Page： 13-15,22
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