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摘要：
本发明公开了一种GaInP/GaAs/Ge/Si四结太阳能电池及其制备方法，太阳能电池自下而成依次包括：Si衬底、Si子电池、Ge膜、Ge子电池、GaAs子电池和GaInP子电池；GaInP子电池顶部AlInP或者GaInP第三窗口层的部分上表面设有GaAs或者InGaAs接触层和上电极，Ge膜底部设有下电极；制备方法包括Si衬底的制备与Si子电池的外延生长，Ge膜的键合与薄膜剥离，Ge子电池的制备，GaAs子电池的制备，GaInP子电池的制备，接触层的制备，解键合，腐蚀SiO2层，光刻，制备上下电极。本发明主要利用晶圆键合和离子注入的方式降低器件制备的成本，提高太阳能芯片光电转换效率。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明授权
申请(专利)号： CN202011164078.9
申请日期： 2020-10-27
公开(公告)日： 2022-02-22
公开(公告)号： CN112289881B
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 授权
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