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摘要：
一种高结晶GaN薄膜的制备方法涉及宽带隙半导体领域，采用一种简单、绿色、低成本的化学气相沉积法在衬底上生长获得了高质量的GaN薄膜。以N2气为氮源，通过等离子发生装置形成N等离子，采用固体镓源，在800‑1000℃下，N2气流量为10‑300sccm，射频功率为50‑300W，调控N等离子体密度，反应0.5‑10h，获得了高结晶质量的GaN薄膜。本专利解决了现在GaN制备过程中出现的高成本、复杂工艺和危险且有毒环境的问题，为发光二极管、激光发射器、紫外光探测器、高电子迁移率晶体管的制备提供一种可行性的方法。
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专利基本信息 ：
专利类型： 发明申请
申请(专利)号： CN202111165332.1
申请日期： 2021-09-30
公开(公告)日： 2022-01-14
公开(公告)号： CN113930745A
申请(专利权)： 北京工业大学
法律状态： 实质审查
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