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学者姓名：徐晨
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摘要 ：
本发明提供了一种携带多通道轨道角动量的光束生成芯片的制备方法，包括：获取双面抛光的倒装980nm垂直腔面发射激光器的外延结构；基于垂直腔面发射激光器二维平面易于集成特性，通过电子束曝光和ICP刻蚀工艺在所述外延结构的衬底端面集成偏振不敏感的圆形纳米柱结构，以控制所述垂直腔面发射激光器的相位。本发明能够实现片上OAM模式的定向生成和携带多通道OAM模式的光束生成，解决传统的OAM生成装置结构复杂，体积大、可靠性低、不易操作等问题。
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| GB/T 7714 | 解意洋 , 傅攀 , 徐晨 et al. 一种携带多通道轨道角动量的光束生成芯片的制备方法 : CN202310198087.7[P]. | 2023-03-03 . |
| MLA | 解意洋 et al. "一种携带多通道轨道角动量的光束生成芯片的制备方法" : CN202310198087.7. | 2023-03-03 . |
| APA | 解意洋 , 傅攀 , 徐晨 , 常鹏鹰 , 包蕾 , 吴博 et al. 一种携带多通道轨道角动量的光束生成芯片的制备方法 : CN202310198087.7. | 2023-03-03 . |
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摘要 ：
本发明提供了一种实现空间光束片上生成的边发射激光器的制备方法，包括：获取隧道级联半导体激光器外延结构，并根据所述隧道级联半导体激光器外延结构进行封装，得到大光腔边发射激光器；利用FDTD单元参数扫描及空间光场分布函数结合MATLAB计算得到所述集成在大光腔边发射激光器上的超构表面相位分布，并选取不同尺寸的纳米柱生成相应结构版图；根据所述相应结构版图，利用聚焦离子束工艺在所述大光腔边发射激光器出光的有源区端面刻蚀超构表面，构建超构表面边发射激光器。本发明解决了现有技术中激光器存在输出功率较小和发散角过大，光束质量低，功能单一的问题。
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| GB/T 7714 | 解意洋 , 徐晨 , 傅攀 et al. 一种实现空间光束片上生成的边发射激光器 : CN202310198084.3[P]. | 2023-03-03 . |
| MLA | 解意洋 et al. "一种实现空间光束片上生成的边发射激光器" : CN202310198084.3. | 2023-03-03 . |
| APA | 解意洋 , 徐晨 , 傅攀 , 李建军 , 常鹏鹰 , 包蕾 et al. 一种实现空间光束片上生成的边发射激光器 : CN202310198084.3. | 2023-03-03 . |
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摘要 ：
本发明提供了一种可转移、复用性超薄光学超构表面的制备方法，包括：获取衬底，并利用第一生长技术在衬底表面生长牺牲层和微米级薄层；对微米级薄层进行外延，得到微米级薄层的外延结构；利用第二生长技术在外延结构的表面成长应力层，得到应力层‑微米级薄层‑牺牲层‑衬底的结构；腐蚀牺牲层，得到应力层‑微米级薄层‑衬底的结构；利用应力层产生的应力将微米级薄层与衬底分离，得到应力层‑微米级薄层结构和衬底；去除应力层，得到微米级薄层和衬底；对微米级薄层进行处理，得到超薄超构表面。本发明解决了现有技术中集成式超构表面有着灵活性差、加工成本高、加工后不可分离、不可重复利用的问题。
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| GB/T 7714 | 解意洋 , 解佳洋 , 邓军 et al. 一种可转移、复用性超薄光学超构表面的制备方法 : CN202310198085.8[P]. | 2023-03-03 . |
| MLA | 解意洋 et al. "一种可转移、复用性超薄光学超构表面的制备方法" : CN202310198085.8. | 2023-03-03 . |
| APA | 解意洋 , 解佳洋 , 邓军 , 徐晨 , 胡良臣 . 一种可转移、复用性超薄光学超构表面的制备方法 : CN202310198085.8. | 2023-03-03 . |
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摘要 ：
本发明公开了一种片上生成矢量光束的垂直腔面发射激光器及制作方法，涉及微纳结构及半导体激光器技术领域，其结构主要包括欧姆接触保护电极、周期交替生长的上分布布拉格反射镜、电流限制氧化孔、氧化限制层；有源区、周期性交替生长的下分布布拉格反射镜、GaAs衬底层、P型金属电极层、钝化层、BCB固化绝缘层、N型金属电极层、出光孔和超构表面。本发明通过常规的半导体加工工艺，能够容易地在垂直腔面发射激光器出光端面集成双折射方形纳米柱结构，在芯片级上实现矢量光束的生成与操控；所开发的方法为VCSEL平台实现定制矢量光束铺平了道路，解决了传统的矢量光束生成装置结构复杂，体积大、效率低、不易操作等问题。
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| GB/T 7714 | 解意洋 , 傅攀 , 徐晨 et al. 一种片上生成矢量光束的垂直腔面发射激光器及制作方法 : CN202310198072.0[P]. | 2023-03-03 . |
| MLA | 解意洋 et al. "一种片上生成矢量光束的垂直腔面发射激光器及制作方法" : CN202310198072.0. | 2023-03-03 . |
| APA | 解意洋 , 傅攀 , 徐晨 , 常鹏鹰 , 包蕾 , 吴博 et al. 一种片上生成矢量光束的垂直腔面发射激光器及制作方法 : CN202310198072.0. | 2023-03-03 . |
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摘要 ：
本发明提供了一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法，该装置由下至上包括：第一衬底、键合金属层、第一反射层、外延片、电极层、第二反射层、间隔层及超结构单元层，所述第一反射层为金属反射层，所述第二反射层为布拉格反射镜；第一衬底、键合金属层、第一反射层、外延片、电极层、第二反射层、间隔层及超结构单元层均垂直于从所述LED发射的光的传播平面。本发明提供的一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法，具有更大的空间相干性，结构紧凑，加工工艺简单，产品良率与可靠性提升，能调控LED出射光的特性，可扩展多功能，具有广阔的应用前景。
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| GB/T 7714 | 解意洋 , 赵晓瑞 , 徐晨 . 一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法 : CN202310198063.1[P]. | 2023-03-03 . |
| MLA | 解意洋 et al. "一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法" : CN202310198063.1. | 2023-03-03 . |
| APA | 解意洋 , 赵晓瑞 , 徐晨 . 一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法 : CN202310198063.1. | 2023-03-03 . |
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摘要 ：
Direct chemical vapor deposition of graphene on semiconductors and insulators provides high feasibility for integration of graphene devices and semiconductor electronics. However, the current methods typically rely on high temperatures (>1000 degrees C), which can damage the substrates. Here, a growth method for high-quality large-area graphene at 300 degrees C is introduced. A multizone furnace with gradient temperature control was designed according to a computational fluid dynamics model. The crucial roles of the chamber pressure in the film continuity and hydrogen composition in the graphene defect density at low temperature were revealed. As a result, a uniform graphene film with the Raman ratio ID/IG = 0.08 was obtained. Furthermore, a technique of laminating single-crystal Cu foil as a sacrificial layer on the substrate was proposed to realize transfer-free growth, and a wafer-scale graphene transistor array was demonstrated with good performance consistency, which paves the way for mass fabrication of graphene devices.
关键词 ：
wafer scale wafer scale transistor array transistor array low temperature low temperature growth growth graphene graphene gradient temperature gradient temperature transfer-free transfer-free
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| GB/T 7714 | Qian, Fengsong , Deng, Jun , Dong, Yibo et al. Transfer-Free CVD Growth of High-Quality Wafer-Scale Graphene at 300 degrees C for Device Mass Fabrication [J]. | ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES , 2022 , 14 (47) : 53174-53182 . |
| MLA | Qian, Fengsong et al. "Transfer-Free CVD Growth of High-Quality Wafer-Scale Graphene at 300 degrees C for Device Mass Fabrication" . | ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES 14 . 47 (2022) : 53174-53182 . |
| APA | Qian, Fengsong , Deng, Jun , Dong, Yibo , Xu, Chen , Hu, Liangchen , Fu, Guosheng et al. Transfer-Free CVD Growth of High-Quality Wafer-Scale Graphene at 300 degrees C for Device Mass Fabrication . | ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES , 2022 , 14 (47) , 53174-53182 . |
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摘要 ：
本发明公开了应用相变材料直接生长石墨烯的肖特基结探测器，属于半导体光电子器件技术领域。其基本结构从下往上依次为：下金属电极、半导体材料、介质层、相变材料薄膜、石墨烯薄膜、上金属电极。采用相变材料催化生长石墨烯的方法避免了后续的光刻、腐蚀等工艺对石墨烯造成的沾污与破损。由于相变材料在低温下的绝缘性，不需要去除催化牺牲层且图形化精细度高，器件制备效率高，具有重要的应用价值，适合于未来石墨烯肖特基结探测器的大规模产业化制备。
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| GB/T 7714 | 徐晨 , 胡良臣 , 解意洋 et al. 应用相变材料直接生长石墨烯的肖特基结探测器 : CN202211690835.5[P]. | 2022-12-27 . |
| MLA | 徐晨 et al. "应用相变材料直接生长石墨烯的肖特基结探测器" : CN202211690835.5. | 2022-12-27 . |
| APA | 徐晨 , 胡良臣 , 解意洋 , 邓军 , 钱峰松 . 应用相变材料直接生长石墨烯的肖特基结探测器 : CN202211690835.5. | 2022-12-27 . |
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摘要 ：
本发明公开了一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法，该方法包括以下步骤：将超薄单晶铜箔通过压合的方式贴附在绝缘衬底上作为催化生长石墨烯的基材；将覆有铜箔的衬底置于三温区热CVD系统中使用梯度温控的方法低温生长石墨烯；生长完成后再PMMA支撑层的辅助下去除衬底行残留的铜。该方法生长的石墨烯质量高、破损少，适用于无法耐受高温的衬底，且工艺简单，可用于大规模工业生产。
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| GB/T 7714 | 徐晨 , 邓军 , 钱峰松 et al. 一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法 : CN202210173105.1[P]. | 2022-02-24 . |
| MLA | 徐晨 et al. "一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法" : CN202210173105.1. | 2022-02-24 . |
| APA | 徐晨 , 邓军 , 钱峰松 , 解意洋 , 胡良臣 . 一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法 : CN202210173105.1. | 2022-02-24 . |
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摘要 ：
本发明公开了一种扩锌的电流扩展层的VCSEL耦合阵列结构及工艺，属于半导体激光器技术领域。本发明通过刻、溅射、剥离、PECVD、ICP等工艺制备了含Zn/Ti/Au的电流扩展层的VCSEL。它解决了VCSEL同相耦合阵列的输出功率不够大的问题。
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| GB/T 7714 | 徐晨 , 袁江缘 , 解意洋 et al. 一种扩锌的电流扩展层的VCSEL耦合阵列结构及工艺 : CN202211690824.7[P]. | 2022-12-27 . |
| MLA | 徐晨 et al. "一种扩锌的电流扩展层的VCSEL耦合阵列结构及工艺" : CN202211690824.7. | 2022-12-27 . |
| APA | 徐晨 , 袁江缘 , 解意洋 , 傅攀 , 包蕾 , 常鹏鹰 . 一种扩锌的电流扩展层的VCSEL耦合阵列结构及工艺 : CN202211690824.7. | 2022-12-27 . |
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摘要 ：
本发明公开了一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法，首先在金属箔背面以及衬底表面分别制备金属箔接触层和衬底接触层，使用压合机将金属箔和衬底的接触层在一定的温度和压力条件下进行压合。压合后的金属箔的衬底被置于多温区独立调控的热CVD系统中进行低温生长石墨烯，对压合在衬底上的单晶金属箔上原位生长的石墨烯直接进行图形化光刻，并依次通过干法刻蚀和自对准湿法刻蚀工艺，依次实现石墨烯膜层固定，石墨烯图形化以及金属箔和接触膜层的去除，通过去除石墨烯上的光刻胶和PMMA实现在衬底上原位制备图形化石墨烯。该方法适用于石墨烯基在大面积衬底上的低温免转移制备，有利于推进石墨烯的商业化广泛应用。
引用：
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| GB/T 7714 | 马啸尘 , 杨芳伟 , 徐晨 et al. 一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法 : CN202211086366.6[P]. | 2022-09-06 . |
| MLA | 马啸尘 et al. "一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法" : CN202211086366.6. | 2022-09-06 . |
| APA | 马啸尘 , 杨芳伟 , 徐晨 , 钱峰松 , 胡良臣 . 一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法 : CN202211086366.6. | 2022-09-06 . |
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