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学者姓名：冯士维
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摘要 ：
本发明公开了一种影响SiCMOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法，该方法可检测影响SiCMOSFET阈值电压漂移陷阱的时间常数，从而锁定该陷阱。包括：(1)选取测试条件，排除碳化硅材料陷阱的影响，获取IDS随时间的瞬态变化曲线；(2)利用贝叶斯反卷积的方法，分析IDS随时间的瞬态变化曲线，获取不同陷阱的时间常数以及定性代表陷阱量的幅值信息；(3)根据陷阱的时间常数，给定不同脉宽的填充栅压，测试阈值电压漂移，并与陷阱峰幅值变化对应；(4)给定不同间隔时间的选取标准，将阈值电压漂移与陷阱峰幅值变化进行对应，判断不同时间常数的陷阱对阈值电压漂移的影响。利用该方法，实现对影响SiCMOSFET阈值电压漂移的陷阱的无损表征。
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| GB/T 7714 | 郭春生 , 崔绍雄 , 朱慧 et al. 一种影响SiC MOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法 : CN202310743955.5[P]. | 2023-06-24 . |
| MLA | 郭春生 et al. "一种影响SiC MOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法" : CN202310743955.5. | 2023-06-24 . |
| APA | 郭春生 , 崔绍雄 , 朱慧 , 张亚民 , 张蒙 , 冯士维 . 一种影响SiC MOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法 : CN202310743955.5. | 2023-06-24 . |
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摘要 ：
本发明公开了一种半导体器件微区结构损伤无损表征的方法，对待测器件施加一定电学偏置条件，利用测试仪器分别采集被测器件应力作用前后漏电流随时间变化的瞬态曲线，利用贝叶斯迭代的时间常数提取方法从瞬态曲线中提取器件损伤位置的时间常数，结合峰值谱时间常数提取技术将器件损伤位置的时间常数以峰值谱的形式呈现出来，并在此基础上利用幅值谱技术进行谱值化表征，将应力作用下器件内部不可见的微区结构损伤的演化过程转变为可视化的谱线移动，实现器件微区结构损伤的精准定位、损伤程度和演化过程的谱值化量化表征。
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| GB/T 7714 | 张亚民 , 温茜 , 孟宪伟 et al. 一种半导体器件微区结构损伤无损表征的方法 : CN202310163377.8[P]. | 2023-02-24 . |
| MLA | 张亚民 et al. "一种半导体器件微区结构损伤无损表征的方法" : CN202310163377.8. | 2023-02-24 . |
| APA | 张亚民 , 温茜 , 孟宪伟 , 冯士维 , 彭飞 , 杨洁 . 一种半导体器件微区结构损伤无损表征的方法 : CN202310163377.8. | 2023-02-24 . |
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摘要 ：
本发明公开了一种测试功率模块内部芯片有源区温度分布均匀性的无损方法，在不同温度下测试模块温度敏感电学参数，获得模块温度敏感电学参数的校温曲线；利用芯片有源区各温度区间的温度分布规律，结合算法，建立温度分布参数(尺度参数和位置参数)和电流电压关系的四维校温曲线库；通过测试模拟实际工况下升温后模块温度敏感电学参数，与四维校温曲线库比对，实现功率模块内部芯片有源区温度均匀性的无损检测。
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| GB/T 7714 | 郭春生 , 李宇濛 , 赵迪 et al. 一种功率模块内部芯片有源区温度分布均匀性的无损测试方法 : CN202310564357.1[P]. | 2023-05-18 . |
| MLA | 郭春生 et al. "一种功率模块内部芯片有源区温度分布均匀性的无损测试方法" : CN202310564357.1. | 2023-05-18 . |
| APA | 郭春生 , 李宇濛 , 赵迪 , 李嘉芃 , 朱慧 , 张亚民 et al. 一种功率模块内部芯片有源区温度分布均匀性的无损测试方法 : CN202310564357.1. | 2023-05-18 . |
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摘要 ：
一种利用幅值响应表征GaN HEMT器件陷阱位置分布的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN HEMT器件处于栅源电压和漏源电压偏置下，器件内部陷阱在恒定应力作用下被电子填充。应力结束后在器件漏源两端施加恒定电流，并监测其漏源电压随时间变化情况，即可表征陷阱释放过程。通过对这一陷阱释放过程中的瞬态电压变化进行测量，在时间常数谱的基础上对陷阱相应峰值进行分析处理，即可得到器件内部陷阱的绝对幅值。器件内部不同位置的陷阱填充与电场分布相关，电场强度增大时，同一位置对应陷阱幅值随之增大。本发明通过获取陷阱在不同偏置电压下的精确幅值变化，分析不同电压下电场对于陷阱填充的影响，从而实现对于陷阱位置分布的有效表征。
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| GB/T 7714 | 冯士维 , 潘世杰 , 李轩 et al. 一种利用幅值响应表征GaN HEMT器件陷阱位置分布的方法 : CN202310000309.X[P]. | 2023-01-03 . |
| MLA | 冯士维 et al. "一种利用幅值响应表征GaN HEMT器件陷阱位置分布的方法" : CN202310000309.X. | 2023-01-03 . |
| APA | 冯士维 , 潘世杰 , 李轩 , 冯子璇 , 白昆 , 尤彬宇 . 一种利用幅值响应表征GaN HEMT器件陷阱位置分布的方法 : CN202310000309.X. | 2023-01-03 . |
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摘要 ：
本发明公开了一种采用微秒级瞬态曲线表征GaNHEMT器件陷阱参数的方法，涉及半导体器件可靠性领域。通过电路设计实现对GaNHEMT器件在恒定电学偏置下微秒级瞬态电压曲线的采集，并通过结构函数法进一步分析处理得到相关陷阱信息。所述方法主要包括：将被测器件放置于恒温平台上，并与陷阱测试电路相连接；在陷阱填充过程中通过电路对器件施加偏置电压；在陷阱释放过程中通过快速开关将切换时间缩短至微秒级，同时采集瞬态电压曲线的变化情况并通过软件进行分析处理，得到器件内部陷阱相关信息。本发明通过电路设计将瞬态电压曲线的采集提升至微秒级，可用于不同厂商生产的GaNHEMT器件陷阱测试，具有较好的通用性。
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| GB/T 7714 | 冯士维 , 潘世杰 , 李轩 et al. 一种采用微秒级瞬态曲线表征GaNHEMT器件陷阱参数的方法 : CN202310000307.0[P]. | 2023-01-03 . |
| MLA | 冯士维 et al. "一种采用微秒级瞬态曲线表征GaNHEMT器件陷阱参数的方法" : CN202310000307.0. | 2023-01-03 . |
| APA | 冯士维 , 潘世杰 , 李轩 , 白昆 , 鲁晓庄 . 一种采用微秒级瞬态曲线表征GaNHEMT器件陷阱参数的方法 : CN202310000307.0. | 2023-01-03 . |
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摘要 ：
一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法涉及半导体器件可靠性领域。传统的利用陷阱释放过程中瞬态漏源电流变化来表征陷阱参数的方法忽视了测试条件引入的陷阱填充对于瞬态电流变化的影响，这部分影响被当作陷阱释放的一部分包含在瞬态曲线中，从而导致对于陷阱填充机理及陷阱幅值的错误分析。本申请针对这一瞬态电流曲线变化的测量误差提出了一种修正方法，在传统的瞬态电流曲线测试之前设计了表征测试条件导致的瞬态电流变化步骤，利用这一表征结果对最终的瞬态曲线变化进行校正。这种方法可以很好地修正测试条件对陷阱释放过程中瞬态电流变化的影响，获取更加准确的瞬态曲线变化，从而正确评估异质半导体器件内部陷阱参数及作用机理。
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| GB/T 7714 | 冯士维 , 潘世杰 , 冯子璇 et al. 一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法 : CN202310000308.5[P]. | 2023-01-03 . |
| MLA | 冯士维 et al. "一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法" : CN202310000308.5. | 2023-01-03 . |
| APA | 冯士维 , 潘世杰 , 冯子璇 , 李轩 , 鲁晓庄 , 姚占武 . 一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法 : CN202310000308.5. | 2023-01-03 . |
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摘要 ：
本发明提供了一种采用探针接触快速测量多路半导体器件的温度系数的方法和装置。本发明将控制模块、激励源模块、测量模块、采集模块、传输模块以及数据处理模块进行了级联调试，设计了对应测试器件的夹具，采用探针法进行测量，完成了高精度的温度系数测量系统的设计与实现。本发明提供的测量方法和装置解决了传统测量只能测量单只器件的问题，同时完成了测量系统的自动化实现，省去了复杂的人工操作，同时提高了测量精度。
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| GB/T 7714 | 冯士维 , 尤彬宇 , 姚占武 et al. 一种采用探针接触快速测量多路半导体器件的温度系数的方法和装置 : CN202310429707.3[P]. | 2023-04-20 . |
| MLA | 冯士维 et al. "一种采用探针接触快速测量多路半导体器件的温度系数的方法和装置" : CN202310429707.3. | 2023-04-20 . |
| APA | 冯士维 , 尤彬宇 , 姚占武 , 鲁晓庄 , 李轩 , 白昆 et al. 一种采用探针接触快速测量多路半导体器件的温度系数的方法和装置 : CN202310429707.3. | 2023-04-20 . |
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摘要 ：
This paper presents a detailed investigation of trapping effect in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors based on the pulsed current-voltage characterization, drain voltage transient (DVT) measurement, and capacitance deep-level transient spectroscopy (C-DLTS). By monitoring the DVTs at various filling voltages and temperatures, the properties of three electron traps were obtained with the DVT measurements. Specifically, the energy levels of the former two traps were determined to be 0.28 and 0.48 eV, which was confirmed by the C-DLTS measurement performed on the same device. In addition, a third temperature-independent trap located in the GaN buffer was observed only with the DVT measurement, indicating the advantage of transient curves measurement in characterizing the traps insensitive to temperature. The combined measurements demonstrate the correlation of different techniques, which allows identifying the same trap levels to investigate the physical origin of traps.
关键词 ：
gallium nitride (GaN) gallium nitride (GaN) drain voltage transients (DVTs) drain voltage transients (DVTs) high-electron-mobility transistors (HEMTs) high-electron-mobility transistors (HEMTs) trap trap capacitance deep-level transient spectroscopy (C-DLTS) capacitance deep-level transient spectroscopy (C-DLTS)
引用：
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| GB/T 7714 | Pan, Shijie , Feng, Shiwei , Li, Xuan et al. Characterization of traps in GaN-based HEMTs by drain voltage transient and capacitance deep-level transient spectroscopy [J]. | SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY , 2022 , 37 (9) . |
| MLA | Pan, Shijie et al. "Characterization of traps in GaN-based HEMTs by drain voltage transient and capacitance deep-level transient spectroscopy" . | SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 37 . 9 (2022) . |
| APA | Pan, Shijie , Feng, Shiwei , Li, Xuan , Bai, Kun , Lu, Xiaozhuang , Zhang, Yamin et al. Characterization of traps in GaN-based HEMTs by drain voltage transient and capacitance deep-level transient spectroscopy . | SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY , 2022 , 37 (9) . |
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摘要 ：
本发明公开了一种用于光电探测器热阻测量的光功率及反向偏置控制装置及方法，涉及半导体光电探测器热特性测量技术领域。本发明包括：第一门驱动电路与光功率设置模块连接；第二门驱动电路与绝缘栅开关器件的栅极连接；测试电流源与被测光电探测器的阳极连接；二极管的阳极与被测光电探测器的阳极连接，二极管的阴极与绝缘栅开关器的漏极连接；绝缘栅开关器的源极与电压源的一端连接；电压源的另一端与被测光电探测器的阴极连接；光功率设置模块通过光路与被测光电探测器连接。本发明可实现从同时设置光功率为通并施加反向偏置的加热状态到设置光功率为断并施加正向电流的测试状态的高速切换。
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| GB/T 7714 | 冯士维 , 鲁晓庄 , 李轩 et al. 一种光电探测器热阻测试装置及方法 : CN202211464061.4[P]. | 2022-11-22 . |
| MLA | 冯士维 et al. "一种光电探测器热阻测试装置及方法" : CN202211464061.4. | 2022-11-22 . |
| APA | 冯士维 , 鲁晓庄 , 李轩 , 白昆 , 潘世杰 , 姚占武 et al. 一种光电探测器热阻测试装置及方法 : CN202211464061.4. | 2022-11-22 . |
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摘要 ：
本发明公开了一种具有栅介质保护区的碳化硅平面型IGBT，包括P+集电极、位于P+集电极背面的金属集电极和位于P+集电极正面的N型缓冲层；N型缓冲层正面是N－漂移区；N－漂移区正面中间注入一系列重掺杂P+岛、两侧分别具有一个P型基区；两个相邻P型基区之间是N型电荷存储JFET区；两个N型重掺杂N+接触区侧部分别具有一个P型重掺杂P+接触区；金属化发射极位于器件顶层，连接器件中的所有P型重掺杂P+接触区和N型重掺杂N+接触区；金属化发射极和金属化栅极通过绝缘层场氧化层被隔离开；金属化栅极下方是栅介质；本发明所提出的栅介质屏蔽区，可使得在增大相邻p型基区间距时，继续保持较低的关态栅介质电场。
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| GB/T 7714 | 张蒙 , 李腾 , 黄艺 et al. 一种具有栅介质保护区的新型碳化硅平面型IGBT : CN202211263370.5[P]. | 2022-10-15 . |
| MLA | 张蒙 et al. "一种具有栅介质保护区的新型碳化硅平面型IGBT" : CN202211263370.5. | 2022-10-15 . |
| APA | 张蒙 , 李腾 , 黄艺 , 张亚民 , 孟宪伟 , 温茜 et al. 一种具有栅介质保护区的新型碳化硅平面型IGBT : CN202211263370.5. | 2022-10-15 . |
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