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学者姓名：张永哲
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摘要 ：
一种有机‑无机杂化手性钙钛矿薄膜的制备方法，属于有机‑无机杂化手性钙钛矿材料领域。本方法直接将手性有机盐和卤化铅前驱体混合溶解于有机溶剂中，进行充分搅拌直至完全溶解，再使用移液枪滴加在旋涂所用的透明衬底上，后续再经过退火处理，在常压下，生成高质量手性钙钛矿薄膜样品，薄膜表面均匀性高，并且能够用于圆偏振光电探测。该工艺步骤简单，可复现性高，周期较短，且成本低廉。
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| GB/T 7714 | 马洋 , 陈虎 , 张永哲 et al. 一种有机-无机杂化手性钙钛矿薄膜的制备方法 : CN202310584396.8[P]. | 2023-05-23 . |
| MLA | 马洋 et al. "一种有机-无机杂化手性钙钛矿薄膜的制备方法" : CN202310584396.8. | 2023-05-23 . |
| APA | 马洋 , 陈虎 , 张永哲 , 王晓亭 , 周梦晨 . 一种有机-无机杂化手性钙钛矿薄膜的制备方法 : CN202310584396.8. | 2023-05-23 . |
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摘要 ：
一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法，属于二维材料领域。本方法采用过渡金属氧化物作为金属源，两种不同的硫族元素作为硫源，使用化学气相沉积的方法生长出元素均匀分布的单层三元过渡金属硫族化合物。利用合金元素之间化学键的稳定性差异，通过氢气辅助退火的方式使不稳定的化学键断裂，产生的硫族元素空位缺陷均匀分布在三元过渡金属硫族化合物中。硫族元素空位缺陷在过渡金属硫族化合物的导带和价带之间引入缺陷能级，产生新的光致发光峰，拓宽了其光谱探测范围。该实验方法工艺简单，重复性好，对缺陷的种类、分布和数量能进行精确调控，适合大规模生产。
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| GB/T 7714 | 张永哲 , 马洋 , 李景涛 . 一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法 : CN202310769296.2[P]. | 2023-06-28 . |
| MLA | 张永哲 et al. "一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法" : CN202310769296.2. | 2023-06-28 . |
| APA | 张永哲 , 马洋 , 李景涛 . 一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法 : CN202310769296.2. | 2023-06-28 . |
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摘要 ：
一种钙钛矿‑晶硅叠层太阳能电池结构，属于太阳能电池领域。包括钙钛矿顶电池、晶硅底电池与复合结层。所述钙钛矿顶电池依次设置为金属电极、透明电极层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层；所述晶硅底电池依次设置为氧化钼空穴传输层、本征氢化非晶硅钝化层、晶硅光吸收层、本征氢化非晶硅钝化层、氟化锂/铝复合电极层；钙钛矿电池与底电池之间通过复合结相联结。本实用新型使用氧化钼作为晶硅底电池的空穴传输层，具有更好的空穴选择性以及更小的寄生吸收，使用氟化锂/铝作为晶硅底电池的复合电极，可以降低晶硅与电极间的肖特基势垒，有利于电子的传输，提升了单个太阳能电池器件的光电转换效率。
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| GB/T 7714 | 郑子龙 , 杨熙其 , 严辉 et al. 一种钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池结构 : CN202320566535.X[P]. | 2023-03-21 . |
| MLA | 郑子龙 et al. "一种钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池结构" : CN202320566535.X. | 2023-03-21 . |
| APA | 郑子龙 , 杨熙其 , 严辉 , 张永哲 , 陈小青 , 王如志 . 一种钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池结构 : CN202320566535.X. | 2023-03-21 . |
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摘要 ：
一种实现低暗电流的二类超晶格红外探测器模型的设计方法，涉及光电探测器技术领域。包括以下步骤：(1)利用APSYS软件构建二类超晶格红外探测器结构模型；(2)引入二类超晶格红外探测器物理模型；(3)生成有限元分析算法模型；(4)运行仿真：在建立的物理模型基础上，对划分好的网格进行有限元分析迭代计算，仿真分析二类超晶格红外探测器光谱吸收和器件暗电流；(5)查看仿真结果；(6)获得该二类超晶格红外探测器模型的理论性能参数。本发明避免了复杂的物理公式计算，通过物理模型与灵活的仿真环境较为准确地仿真出二类超晶格红外探测器的性能，并寻找到吸收层结构和势垒层结构设计对于器件暗电流大小的影响规律，为材料的实验生长和器件的结构设计提供理论依据。
引用：
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| GB/T 7714 | 张永哲 , .闫勇 , 李菁桢 et al. 一种实现低暗电流的二类超晶格红外探测器模型的设计方法 : CN202310118104.1[P]. | 2023-02-01 . |
| MLA | 张永哲 et al. "一种实现低暗电流的二类超晶格红外探测器模型的设计方法" : CN202310118104.1. | 2023-02-01 . |
| APA | 张永哲 , .闫勇 , 李菁桢 , 王晓华 , 于文静 , 周朋 et al. 一种实现低暗电流的二类超晶格红外探测器模型的设计方法 : CN202310118104.1. | 2023-02-01 . |
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摘要 ：
一种晶硅组合面抑制产生晶硅外延和纳米孪晶的方法，属于太阳能电池领域。通过设计一种晶硅组合平面，在制备硅异质结(SHJ)太阳电池的过程中可以有效地抑制晶硅/非晶硅(c‑Si/a‑Si)界面处晶硅外延和纳米孪晶的形成与生长。通过利用Lammps软件对不同晶硅组合面组成的c‑Si/a‑Si界面模型进行分子动力学模拟以对本发明所设计的不同晶硅组合面对界面形貌的影响，并与以纯(111)面组成的界面分子动力学模拟结果对比，研究结果表明(111)/(011)这种组合面可以有效抑制c‑Si外延和纳米孪晶的形成与生长，改善了c‑Si/a‑Si界面质量。该方法有希望指导SHJ太阳电池的未来研究方向。
引用：
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| GB/T 7714 | 郑子龙 , 蔡宏波 , 严辉 et al. 一种晶硅组合面抑制产生晶硅外延和纳米孪晶的方法 : CN202310687015.9[P]. | 2023-06-09 . |
| MLA | 郑子龙 et al. "一种晶硅组合面抑制产生晶硅外延和纳米孪晶的方法" : CN202310687015.9. | 2023-06-09 . |
| APA | 郑子龙 , 蔡宏波 , 严辉 , 楚飞鸿 , 张永哲 , 陈小青 . 一种晶硅组合面抑制产生晶硅外延和纳米孪晶的方法 : CN202310687015.9. | 2023-06-09 . |
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摘要 ：
基于钙钛矿自掺杂效应的微纳光电二极管像元阵列加工方法，属于探测器技术领域。其步骤为：1)器件采用平面结构，电极为底电极；2)通过在钙钛矿前驱体溶液中添加PEAI或GuCl等抑制离子迁移的添加剂；3)在图形化电极阵列上旋涂钙钛矿来制备钙钛矿薄膜4)通过预先制备的图形化底电极对钙钛矿薄膜施加偏压，使其内部离子进行定向移动形成局部掺杂，在阵列各个单元器件中形成PN结；4)通过偏压极化后，阵列中各单元器件已形成光电二极管可在0V偏压下进行工作。
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| GB/T 7714 | 严辉 , 程健功 , 陈小青 et al. 基于钙钛矿自掺杂效应的微纳光电二极管像元阵列加工方法 : CN202310303286.X[P]. | 2023-03-23 . |
| MLA | 严辉 et al. "基于钙钛矿自掺杂效应的微纳光电二极管像元阵列加工方法" : CN202310303286.X. | 2023-03-23 . |
| APA | 严辉 , 程健功 , 陈小青 , 张永哲 , 孙瑞泽 . 基于钙钛矿自掺杂效应的微纳光电二极管像元阵列加工方法 : CN202310303286.X. | 2023-03-23 . |
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摘要 ：
一种制备InAs纳米片的方法，属于InAs纳米片制备领域。在生长基片表面沉积催化剂，并对生长基片进行退火处理；将生长基片置于管式炉中载气流向下游的低温区，将InAs粉末放置于坩埚中并置于管式炉的中心温度，通入载气；反应时管式炉的中心温度分为三个阶段，第一阶段去除前驱体中的结合水阶段，第二阶段InAs纳米片的生长阶段，第三阶段自然降温阶段。本方法采用化学气相沉积法制备出InAs纳米片，为实现低成本高有效地生长InAs纳米片提供了参考，为CVD法生长纳米片提供了指导意义。该实验方法工艺简单，重复性好，对环境友好，且成本低，适合大规模生产。
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| GB/T 7714 | 张永哲 , 陈浩楠 , 李菁桢 et al. 一种制备InAs纳米片的方法 : CN202310613404.7[P]. | 2023-05-27 . |
| MLA | 张永哲 et al. "一种制备InAs纳米片的方法" : CN202310613404.7. | 2023-05-27 . |
| APA | 张永哲 , 陈浩楠 , 李菁桢 , 马洋 , 曹生珠 , 邓文杰 . 一种制备InAs纳米片的方法 : CN202310613404.7. | 2023-05-27 . |
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摘要 ：
一种高精度线偏振信息测量装置，涉及半导体线偏振光信息测量相关技术领域。包括探测单元模块、电压处理模块、计算及输出模块三部分。两组通过电路串联且最大偏振敏感方向分别相差45°的4个探测器作为探测单元模块，当线偏振光照射下，在一定电源偏置下，探测单元模块产生两路电压，产生的电压仅与偏振角度有关；两路电压经过电压处理模块，分别通过编程增益的电压放大器和差值处理电路得到一路过滤了共模干扰的电压信号；最后将处理后的电压信号传递给计算及输出模块，模块中的计算单元通过计算处理通过通信的方式交给显示设备，得到可视化的线偏振信息。
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| GB/T 7714 | 马洋 , 周梦晨 , 张永哲 et al. 一种高精度线偏振信息测量装置 : CN202310396982.X[P]. | 2023-04-13 . |
| MLA | 马洋 et al. "一种高精度线偏振信息测量装置" : CN202310396982.X. | 2023-04-13 . |
| APA | 马洋 , 周梦晨 , 张永哲 , 王晓亭 , 陈虎 . 一种高精度线偏振信息测量装置 : CN202310396982.X. | 2023-04-13 . |
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摘要 ：
The polarization singularities in momentum space, rather than in real space, are capturing interest for active singular optics with exotic light scattering and various topological phenomena, which have potential applications in vortex nano-lasers, valley exciton emission, and others. Here, we propose to magnetically control the polarization singularities in momentum space in the photonic crystal slabs with inversion spatial symmetry (P symmetry). A pair of C points (circular polarization points) with the same topological charge is spawned from a V point (polarization vortex center), and they can be dynamically shifted in momentum space with the variation of the magnetic field. Moreover, the coupling between transverse electric (TE) and transverse magnetic (TM) modes induced by the magnetic field gives rise to a hybrid mode, which can close certain leaky channels to achieve an accidentalVpoint. Such active manipulation of polarization singularities with magnetic field is promised for various applications in light-matter interactions and reveals novel phenomena and physics in singular optics and topological photonics. (C) 2022 Optica Publishing Group
引用：
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| GB/T 7714 | Zhao, Chen , Dong, Shaohua , Zhang, Qing et al. Magnetic modulation of topological polarization singularities in momentum space [J]. | OPTICS LETTERS , 2022 , 47 (11) : 2754-2757 . |
| MLA | Zhao, Chen et al. "Magnetic modulation of topological polarization singularities in momentum space" . | OPTICS LETTERS 47 . 11 (2022) : 2754-2757 . |
| APA | Zhao, Chen , Dong, Shaohua , Zhang, Qing , Zeng, Yixuan , Hu, Guangwei , Zhang, Yongzhe . Magnetic modulation of topological polarization singularities in momentum space . | OPTICS LETTERS , 2022 , 47 (11) , 2754-2757 . |
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摘要 ：
The ultrathin feature of two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs) has brought special performance in electronic and optoelectronic fields. When vertical and lateral heterojunctions are made using different TMD combinations, the original properties of premier TMDs can be optimized. Especially for lateral heterojunctions, their sharp interface signifies a narrow space charge region, leading to a strong in-plane built-in electric field, which may contribute to high separation efficiency of photogenerated carriers, good rectification behavior, self-powered photoelectric device construction, etc. However, due to the poor controllability over the synthesis process, obtaining a clean and sharp interface of the lateral heterojunction is still a challenge. Herein, we propose a simple chemical vapor deposition (CVD) method, which can effectively separate the growth process of different TMDs, thus resulting in good regulation of the composition change at the junction region. By this method, MoS2-WS2 lateral heterojunctions with sharp interfaces have been obtained with good rectification characteristics, similar to 105 on/off ratio, 1874% external quantum efficiency, and similar to 120 ms photoresponse speed, exhibiting a better photoelectric performance than that of the lateral ones with graded junctions.
引用：
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| GB/T 7714 | Li, Jingtao , Ma, Yang , Li, Yufo et al. Interface Influence on the Photoelectric Performance of Transition Metal Dichalcogenide Lateral Heterojunctions [J]. | ACS OMEGA , 2022 . |
| MLA | Li, Jingtao et al. "Interface Influence on the Photoelectric Performance of Transition Metal Dichalcogenide Lateral Heterojunctions" . | ACS OMEGA (2022) . |
| APA | Li, Jingtao , Ma, Yang , Li, Yufo , Li, Shao-Sian , An, Boxing , Li, Jingjie et al. Interface Influence on the Photoelectric Performance of Transition Metal Dichalcogenide Lateral Heterojunctions . | ACS OMEGA , 2022 . |
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