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学者姓名：张久兴
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摘要 ：
电传导型Ca12Al14O32 : 2e‑电子化合物的制造方法属于钙铝石型无机电子化合物材料技术领域。将CaCO3粉末与Al2O3粉末以27 : 15的物质的量比混合均匀，并且于1450℃进行化学反应合成Ca12Al14O33与Ca3Al2O6共晶前驱体，此前驱体中Ca12Al14O33与Ca3Al2O6的物质的量比为2：1；将共晶前躯体与金属Al单质粉末混匀后，在Ar气环境下进行机械合金化，时间为15min；将机械合金化后的粉末原位反应合成电传导型Ca12Al14O32 : 2e‑电子化合物；该制备方法5分钟内就制得电子浓度达到理论最大值2.3×1021cm‑3，相对密度达到99.8％的多晶Ca12Al14O32 : 2e‑电子化合物块体材料，且该方法简单高效，制备周期极短，成本低，易于实现批量化生产。
引用：
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| GB/T 7714 | 张忻 , 李凡 , 刘洪亮 et al. 电传导型Ca12Al14O32 : 2e-电子化合物的制造方法 : CN201811019797.4[P]. | 2018-09-03 . |
| MLA | 张忻 et al. "电传导型Ca12Al14O32 : 2e-电子化合物的制造方法" : CN201811019797.4. | 2018-09-03 . |
| APA | 张忻 , 李凡 , 刘洪亮 , 冯琦 , 张久兴 . 电传导型Ca12Al14O32 : 2e-电子化合物的制造方法 : CN201811019797.4. | 2018-09-03 . |
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摘要 ：
本发明公开了一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法，属于阴极场发射技术领域。本发明采用步进电机辅助电化学浸润腐蚀制备单晶稀土六硼化物场发射单尖，通过调节步进电机的上下移动速率和位移，腐蚀电压和时间，使得单晶稀土六硼化物样品腐蚀和非腐蚀部位的腐蚀极化过电位产生明显差别，从而有效克服了电化学腐蚀制备单尖过程中样品与腐蚀液的手动浸润过程及腐蚀存在的杂散腐蚀现象，减小了单尖制备受人为影响的因素，提高了单尖形貌的均匀性和规则度以及制备的效率，进而改善和提高单尖阴极场发射性能，使得单晶稀土六硼化物场发射单尖作为电子源在扫描电镜、电子束光刻系统等真空电子设备领域具有广阔的运用前景。
引用：
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| GB/T 7714 | 张忻 , 肖怡新 , 刘洪亮 et al. 一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法 : CN201811213293.6[P]. | 2018-10-18 . |
| MLA | 张忻 et al. "一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法" : CN201811213293.6. | 2018-10-18 . |
| APA | 张忻 , 肖怡新 , 刘洪亮 , 张久兴 . 一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法 : CN201811213293.6. | 2018-10-18 . |
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摘要 ：
一种全致密块状各向异性纳米晶Sm2Co7磁体及其制备方法，属于磁性材料制备领域。通过将Sm和Co熔炼母合金后、球磨，快速热压和热变形处理，制得全致密块状Sm2Co7纳米晶永磁合金。本发明所制备的Sm2Co7磁体具有明显的C轴晶体织构和对应的显著磁各向异性。
引用：
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| GB/T 7714 | 马强 , 岳明 , 徐晓厂 et al. 一种全致密块状各向异性纳米晶Sm2Co7磁体及其制备方法 : CN201810102353.0[P]. | 2018-02-01 . |
| MLA | 马强 et al. "一种全致密块状各向异性纳米晶Sm2Co7磁体及其制备方法" : CN201810102353.0. | 2018-02-01 . |
| APA | 马强 , 岳明 , 徐晓厂 , 张红国 , 张东涛 , 李玉卿 et al. 一种全致密块状各向异性纳米晶Sm2Co7磁体及其制备方法 : CN201810102353.0. | 2018-02-01 . |
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摘要 ：
本发明涉及一种YB4块体的制备方法。将YH2粉末和B粉在氧含量低于0.5ppm氩气气氛中，按摩尔比1 : 4球磨混合均匀，将中球磨好的粉末在氧含量低于0.5ppm氩气环境中放入石墨模具中，然后将石墨模具置于SPS烧结设备中烧结，烧结工艺为：将腔体抽真空至8Pa以下，在仪器初始压力下以50‑60℃/min的升温速度升至800‑900℃，保温至腔体真空度下降至15Pa以下，之后施加40‑60MPa的轴向压力，再以120‑140℃/min升温速度升至1400‑1600℃，保温5‑10min，降压随炉冷却至室温。本发明将YB4原料合成与块体的制备合二为一烧结温度低、时间短，工艺简单，且制备的材料单相、纯度高、致密度高、力学性能好。
引用：
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| GB/T 7714 | 张久兴 , 李录录 , 张忻 et al. 一种YB4块体的制备方法 : CN201710140285.2[P]. | 2017-03-10 . |
| MLA | 张久兴 et al. "一种YB4块体的制备方法" : CN201710140285.2. | 2017-03-10 . |
| APA | 张久兴 , 李录录 , 张忻 , 刘洪亮 . 一种YB4块体的制备方法 : CN201710140285.2. | 2017-03-10 . |
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摘要 ：
导电性钙铝石型化合物块体的制备方法属于半导体材料技术领域。本发明采用放电等离子烧结技术原位反应合成导电型[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2‑y(e‑)2y块体材料。[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2进行粉碎、研磨，装入石墨模具中，预压成形，然后加入活性金属粉末，置于放电等离子烧结设备中，反应条件为：活性金属粉末与[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2粉末的质量比为1 : 2～1 : 5，烧结温度800～1400℃，反应室真空度不高于10Pa，压力40MPa，反应5～15min。该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控载流子浓度，从而实现电输运特性的可控，且该方法简单高效，制备周期短，成本低，易于实现工业化应用。
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| GB/T 7714 | 张忻 , 李凡 , 刘洪亮 et al. 导电性钙铝石型化合物块体的制备方法 : CN201711142934.9[P]. | 2017-11-17 . |
| MLA | 张忻 et al. "导电性钙铝石型化合物块体的制备方法" : CN201711142934.9. | 2017-11-17 . |
| APA | 张忻 , 李凡 , 刘洪亮 , 赵吉平 , 冯琦 , 张久兴 . 导电性钙铝石型化合物块体的制备方法 : CN201711142934.9. | 2017-11-17 . |
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摘要 ：
一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前，稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难，限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列，所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整，能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列，尖锥高度、间隔和密度可控，适合大规模应用。
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| GB/T 7714 | 张忻 , 刘洪亮 , 肖怡新 et al. 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法 : CN201710504620.2[P]. | 2017-06-28 . |
| MLA | 张忻 et al. "一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法" : CN201710504620.2. | 2017-06-28 . |
| APA | 张忻 , 刘洪亮 , 肖怡新 , 冯琦 , 张久兴 . 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法 : CN201710504620.2. | 2017-06-28 . |
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摘要 ：
一种可用作磁制冷材料的MnNiSi基磁性合金，属于磁性材料技术领域。磁性合金化学通式为Mn1 zMzNi1 yM’ySi1 xXx，其中，M、M’为过渡族金属，包括Fe和Co，X为主族元素，包括Ge和Ga，0.1≤z≤0.7，0≤y≤0.5，0≤x≤0.5。按摩尔比配料，将配好的原料放入电弧熔炼或者悬浮熔炼炉中，抽真空，用氩气保护下熔炼，获得合金锭；将熔炼好的合金锭在纯惰性气体保护下退火，然后直接在冰水中淬火，制备磁性合金；本发明的磁性合金能够在较宽的温度范围内发生结构相变，伴随有巨大的磁热效应，可作为磁制冷工质具有较高的磁制冷效率和宽温域工作范围。
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| GB/T 7714 | 张红国 , 陈杰 , 岳明 et al. 一种可用作磁制冷材料的MnNiSi基磁性合金 : CN201610974358.3[P]. | 2016-11-04 . |
| MLA | 张红国 et al. "一种可用作磁制冷材料的MnNiSi基磁性合金" : CN201610974358.3. | 2016-11-04 . |
| APA | 张红国 , 陈杰 , 岳明 , 王铭哲 , 张东涛 , 刘卫强 et al. 一种可用作磁制冷材料的MnNiSi基磁性合金 : CN201610974358.3. | 2016-11-04 . |
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摘要 ：
本发明涉及纳米SiC复合Mg Si Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行一次球磨，然后将装载一次球磨粉的石墨模具置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结成块体；再将烧结成的块体破碎后，在氩气气氛下进行二次球磨，然后在真空气氛下烧结得到高致密的Mg2Si1 xSnx/SiCy(0≤x≤1.0, 0< y≤0.05)块体。本发明成本低，适用成分范围广，操作简单，可靠性好，可实现纳米SiC颗粒在Mg2Si1 xSnx基体中的弥散分布，同时能够细化基体晶粒尺寸，提高材料的致密度和可加工性。
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| GB/T 7714 | 张忻 , 郑亮 , 刘洪亮 et al. 纳米SiC复合Mg Si Sn基热电材料的制备方法 : CN201610057670.6[P]. | 2016-01-27 . |
| MLA | 张忻 et al. "纳米SiC复合Mg Si Sn基热电材料的制备方法" : CN201610057670.6. | 2016-01-27 . |
| APA | 张忻 , 郑亮 , 刘洪亮 , 李松浩 , 周子群 , 张久兴 et al. 纳米SiC复合Mg Si Sn基热电材料的制备方法 : CN201610057670.6. | 2016-01-27 . |
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摘要 ：
Mg3Sb2基热电材料的制备方法，采用感应熔炼结合放电等离子烧结(SPS)技术的方法制备Mg3-xAxSb2-yBy(A : Ag, Cu等，B : Si, Ge, Sn等；0≤x≤0.30，0≤y≤0.20)块体。步骤如下：首先，在经高效脱氧剂脱氧后的高纯氩气气体保护下，按化学计量比称取单质原料放入到准密封熔炼设备中将其熔炼成铸锭，然后将铸锭进行破碎。把破碎的铸锭装入硬质合金球磨罐中，采用机械球磨设备在高纯氩气气氛下进行球磨，然后将球磨后的粉料装载到石墨模具内，并置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结得到高致密度的块体。本发明成本低，适用成分范围广，操作简单，可靠性好，工艺参数易控制，可解决Mg元素易挥发和易氧化问题，并提高材料的致密度和可加工性。
引用：
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| GB/T 7714 | 张忻 , 周子群 , 刘洪亮 et al. Mg3Sb2基热电材料的制备方法 : CN201610094747.7[P]. | 2016-02-20 . |
| MLA | 张忻 et al. "Mg3Sb2基热电材料的制备方法" : CN201610094747.7. | 2016-02-20 . |
| APA | 张忻 , 周子群 , 刘洪亮 , 李松浩 , 郑亮 , 张久兴 et al. Mg3Sb2基热电材料的制备方法 : CN201610094747.7. | 2016-02-20 . |
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摘要 ：
一种电子化合物C12A7 : e‑单晶体的制备方法属于阴极材料技术领域。电子化合物C12A7 : e‑因具有低的逸出功而备受关注，但迄今为止关于其单晶体的制备技术及其电子发射研究很少，且目前制备工艺复杂，单晶体质量较差，很难实现大规模应用。本发明采用放电等离子烧结(SPS)、光学悬浮区域熔炼以及活性物质还原法相结合在高真空环境下制备大尺寸，高质量C12A7：e‑单晶体。以CaCO3粉末和Al2O3粉末为初始原料制备出的高纯度、高质量、大尺寸C12A7：e‑单晶体为(φ8～15)mm×(20～30)mm的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好没有出现孪晶现象，室温下载流子浓度为6.6×1019cm‑3。
引用：
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| GB/T 7714 | 张久兴 , 江浩 , 张忻 et al. 一种电子化合物C12A7 : e‑单晶体的制备方法 : CN201610519994.7[P]. | 2016-07-04 . |
| MLA | 张久兴 et al. "一种电子化合物C12A7 : e‑单晶体的制备方法" : CN201610519994.7. | 2016-07-04 . |
| APA | 张久兴 , 江浩 , 张忻 , 刘燕琴 , 刘洪亮 . 一种电子化合物C12A7 : e‑单晶体的制备方法 : CN201610519994.7. | 2016-07-04 . |
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